IGN1011L70

Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien

Fabrikant beschwéiert Part	IGN1011L70
Fabrikant beschwéiert	Integra Technologies
Beschreiwung	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Kategorie	diskret semiconductor Produiten
Famill	transistoren - fets, mosfets - rf
Liewenszyklus:	New from this manufacturer.
Liwwerung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Bezuelen	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	IGN1011L70 PDF

Disponibilitéit

Op Lager	252675
Eenzelpräis	$ 222.00000

IGN1011L70 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IGN1011L70 Spezifikatioune

Typ	Beschreiwung
Serie:	-
Package:	Bulk
Deel Status:	Active
Transistor Typ:	GaN HEMT
Frequenz:	1.03GHz ~ 1.09GHz
gewannen:	22dB
Spannung - Test:	50 V
aktuell Bewäertung (Ampere):	-
Kaméidi Figur:	-
aktuell - Test:	22 mA
Muecht - Ausgang:	80W
Spannung - bewäert:	120 V
Package / Fall:	PL32A2
Fournisseur Apparat Package:	PL32A2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.