SCT3080ALGC11

Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien

Fabrikant beschwéiert Part	SCT3080ALGC11
Fabrikant beschwéiert	ROHM Semiconductor
Beschreiwung	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Kategorie	diskret semiconductor Produiten
Famill	transistors - fets, mosfets - eenzel
Liewenszyklus:	New from this manufacturer.
Liwwerung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Bezuelen	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	SCT3080ALGC11 PDF

Disponibilitéit

Op Lager	1705
Eenzelpräis	$ 10.86000

SCT3080ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT3080ALGC11 Spezifikatioune

Typ	Beschreiwung
Serie:	-
Package:	Tube
Deel Status:	Active
fet Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain to source voltage (vdss):	650 V
aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c:	30A (Tc)
Fuertspannung (max rds on, min rds on):	18V
rds op (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
Gate charge (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -4V
Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds:	571 pF @ 500 V
fet Fonktioun:	-
Energieverbrauch (max):	134W (Tc)
Betribssystemer Temperatur:	175°C (TJ)
Montéierung Typ:	Through Hole
Fournisseur Apparat Package:	TO-247N
Package / Fall:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.