SIHG47N60AE-GE3

Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien

Fabrikant beschwéiert Part	SIHG47N60AE-GE3
Fabrikant beschwéiert	Vishay / Siliconix
Beschreiwung	MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Kategorie	diskret semiconductor Produiten
Famill	transistors - fets, mosfets - eenzel
Liewenszyklus:	New from this manufacturer.
Liwwerung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Bezuelen	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	SIHG47N60AE-GE3 PDF

Disponibilitéit

Op Lager	2010
Eenzelpräis	$ 8.16000

SIHG47N60AE-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIHG47N60AE-GE3 Spezifikatioune

Typ	Beschreiwung
Serie:	E
Package:	Tube
Deel Status:	Active
fet Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source voltage (vdss):	600 V
aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c:	43A (Tc)
Fuertspannung (max rds on, min rds on):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate charge (qg) (max) @ vgs:	182 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds:	3600 pF @ 100 V
fet Fonktioun:	-
Energieverbrauch (max):	313W (Tc)
Betribssystemer Temperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montéierung Typ:	Through Hole
Fournisseur Apparat Package:	TO-247AC
Package / Fall:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.