TP65H035WS

Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien

Fabrikant beschwéiert Part	TP65H035WS
Fabrikant beschwéiert	Transphorm
Beschreiwung	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Kategorie	diskret semiconductor Produiten
Famill	transistors - fets, mosfets - eenzel
Liewenszyklus:	New from this manufacturer.
Liwwerung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Bezuelen	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	TP65H035WS PDF

Disponibilitéit

Op Lager	136
Eenzelpräis	$ 20.81000

TP65H035WS Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H035WS Spezifikatioune

Typ	Beschreiwung
Serie:	-
Package:	Tube
Deel Status:	Active
fet Typ:	N-Channel
Technologie:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
drain to source voltage (vdss):	650 V
aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c:	46.5A (Tc)
Fuertspannung (max rds on, min rds on):	12V
rds op (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 1mA
Gate charge (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 400 V
fet Fonktioun:	-
Energieverbrauch (max):	156W (Tc)
Betribssystemer Temperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montéierung Typ:	Through Hole
Fournisseur Apparat Package:	TO-247-3
Package / Fall:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.