TP65H300G4LSG

Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien

Fabrikant beschwéiert Part	TP65H300G4LSG
Fabrikant beschwéiert	Transphorm
Beschreiwung	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Kategorie	diskret semiconductor Produiten
Famill	transistors - fets, mosfets - eenzel
Liewenszyklus:	New from this manufacturer.
Liwwerung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Bezuelen	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	TP65H300G4LSG PDF

Disponibilitéit

Op Lager	240
Eenzelpräis	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H300G4LSG Spezifikatioune

Typ	Beschreiwung
Serie:	-
Package:	Tray
Deel Status:	Active
fet Typ:	N-Channel
Technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain to source voltage (vdss):	650 V
aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c:	6.5A (Tc)
Fuertspannung (max rds on, min rds on):	8V
rds op (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
Gate charge (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (max):	±18V
Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
fet Fonktioun:	-
Energieverbrauch (max):	21W (Tc)
Betribssystemer Temperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montéierung Typ:	Surface Mount
Fournisseur Apparat Package:	3-PQFN (8x8)
Package / Fall:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.