GA10JT12-263

Bild ass fir Referenz, kontaktéiert eis w.e.g. fir dat richtegt Bild ze kréien

Fabrikant beschwéiert Part	GA10JT12-263
Fabrikant beschwéiert	GeneSiC Semiconductor
Beschreiwung	TRANS SJT 1200V 25A
Kategorie	diskret semiconductor Produiten
Famill	transistors - fets, mosfets - eenzel
Liewenszyklus:	New from this manufacturer.
Liwwerung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Bezuelen	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	GA10JT12-263 PDF

Disponibilitéit

Op Lager	170
Eenzelpräis	$ 20.74000

GA10JT12-263 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GA10JT12-263 Spezifikatioune

Typ	Beschreiwung
Serie:	-
Package:	Tube
Deel Status:	Active
fet Typ:	-
Technologie:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
drain to source voltage (vdss):	1200 V
aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c:	25A (Tc)
Fuertspannung (max rds on, min rds on):	-
rds op (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 10A
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate charge (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds:	1403 pF @ 800 V
fet Fonktioun:	-
Energieverbrauch (max):	170W (Tc)
Betribssystemer Temperatur:	175°C (TJ)
Montéierung Typ:	Surface Mount
Fournisseur Apparat Package:	-
Package / Fall:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.